🔸漢磊(3707)股價上漲,SiC題材與法人買盤共振漢磊今日盤中強勢大漲8.38%,股價衝上56.9元,明顯領漲矽晶圓族群。主因在於近期臺積電CoWoS散熱需求帶動碳化矽(SiC)材料話題,法人資金連日迴流,外資與自營商昨日合計買超逾2,100張,主力籌碼短線翻多。加上全球半導體展、蘋果AI題材輪
繼續閱讀...搜尋
🔸漢磊(3707)股價上漲,SiC題材與法人買盤共振漢磊今日盤中強勢大漲8.38%,股價衝上56.9元,明顯領漲矽晶圓族群。主因在於近期臺積電CoWoS散熱需求帶動碳化矽(SiC)材料話題,法人資金連日迴流,外資與自營商昨日合計買超逾2,100張,主力籌碼短線翻多。加上全球半導體展、蘋果AI題材輪
繼續閱讀...漢磊(3707)近日宣布推出第四代平面型MOSFET技術平台(G4製程平台),引發市場高度關注,股價連續兩日漲停,4日收於54.2元。此新技術平台相較於2024年推出的G3平台,晶片面積縮小約20%,導通電阻改善約20%,並已完成完整客戶可靠度驗證。此舉不僅提升了功率密度與整體效能,也讓漢磊在市場上
繼續閱讀...美股重點一覽美股全面收高,私營部門就業數據低於預期,進一步強化市場對聯準會本月可能降息的期待。道瓊工業指數、那斯達克指數與標普500指數同步走揚,費城半導體指數漲幅達1.34%,科技股表現搶眼。整體而言,投資情緒偏向樂觀,不過隨著非農就業數據即將公布,市場短線波動風險仍存,投資人關注焦點將集中在該數
繼續閱讀...🔸漢磊(3707)股價上漲,SiC技術平臺升級引爆資金追捧漢磊今日盤中再度亮燈漲停,報54.2元,漲幅高達9.83%,連續第二日強勢攻頂,成交量爆出逾2.6萬張。主因在於公司日前宣佈第四代平面型MOSFET技術平臺(G4製程)正式推出,晶片面積與導通電阻均較前代大幅改善,且已完成客戶可靠度驗證。新
繼續閱讀...🔸漢磊(3707)股價上漲,碳化矽題材點火盤中人氣漢磊今早股價急漲9.91%,衝上49.35元,盤中表現強勢。主因在於碳化矽(SiC)晶圓製造題材持續發酵,市場聚焦與世界先進攜手推進8吋SiC產線,並受惠全球高效能源、電動車、AI伺服器等高功率應用需求增長。加上同業格棋化合物半導體即將登入興櫃,產
繼續閱讀...美股重點一覽美股昨日全面收黑,投資人靜待聯準會主席鮑威爾在傑克森霍爾會議的談話,市場氛圍偏向觀望。標普500指數連跌五日,反映對利率政策的不安情緒;會議紀要則顯示多數官員傾向維持利率不變,壓抑了短期降息的期待。總統川普表態不再批准新太陽能與風能計畫,拖累再生能源股走弱。昨日台股盤勢整理昨(21)日台
繼續閱讀...🔸漢磊(3707)股價上漲,矽晶圓族群資金強勢推升漢磊今日盤中強勢漲停,報價45.65元,漲幅達10%。主因來自矽晶圓族群全面點火,資金明顯湧入,受惠AI、記憶體轉單及中國補貼政策,族群動能強勁。法人與主力資金同步進場,帶動漢磊盤中創高,市場情緒偏多。近期營收雖表現平穩,未見明顯爆發,但今日漲勢主
繼續閱讀...🔸漢磊(3707)股價上漲,SiC族群資金湧入、AI需求題材發酵漢磊今日盤中強勢漲停,報43.65元,漲幅近10%。主因矽晶圓族群受惠AI應用持續擴大,SiC產業題材熱度不減,資金明顯迴流。加上近期法人積極回補,外資連三日大買,主力籌碼同步回補,推升股價表現。市場聚焦8吋SiC產能擴張、與大廠策略
繼續閱讀...| 選擇分類: | (新增分類) | |