漢磊(3707)近日宣布推出第四代平面型MOSFET技術平台（G4製程平台），引發市場高度關注，股價連續兩日漲停，4日收於54.2元。此新技術平台相較於2024年推出的G3平台，晶片面積縮小約20%，導通電阻改善約20%，並已完成完整客戶可靠度驗證。此舉不僅提升了功率密度與整體效能，也讓漢磊在市場上再度獲得投資人的青睞。

技術升級助力市場競爭力

漢磊的G4平台效能已達國際IDM大廠水準，應用範圍涵蓋太陽能逆變器、儲能系統、AI伺服器高效電源管理與電動車功率模組。總經理劉燦文指出，此平台可協助客戶在效能與成本間取得最佳平衡，預期將在市場上取得更大優勢。法人認為，漢磊藉由G4平台切入更多高成長應用領域，有助於搶占下世代化合物半導體市場的先機。

市場反應熱烈，股價與交易量齊升

自漢磊宣布新技術平台以來，市場反應熱烈，股價連續兩日漲停，並在4日盤中爆量逾2.6萬張，顯示資金明顯聚焦於此。法人機構對漢磊的未來表現持樂觀態度，認為隨著市況回溫及先進製程的導入，漢磊下半年營運可望逐步回升。

未來發展與潛在風險

展望未來，漢磊在全球化合物半導體市場具備競爭優勢，尤其在GaN與SiC代工能力上。但需留意的是，市場競爭激烈及終端庫存調整可能帶來的風險。投資人應密切關注市場動態及技術發展，以便作出更為明智的投資決策。

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