🔸漢磊(3707)股價上漲,SiC技術平臺升級引爆資金追捧
漢磊今日盤中再度亮燈漲停,報54.2元,漲幅高達9.83%,連續第二日強勢攻頂,成交量爆出逾2.6萬張。主因在於公司日前宣佈第四代平面型MOSFET技術平臺(G4製程)正式推出,晶片面積與導通電阻均較前代大幅改善,且已完成客戶可靠度驗證。新技術不僅強化既有太陽能、儲能應用,更切入AI伺服器與電動車高效電源管理,法人看好升級效益,市場資金明顯聚焦,推升股價表現。
🔸技術面多頭延續,籌碼面主力與法人同步加碼
從昨日技術面來看,漢磊股價已突破所有均線,MACD與RSI指標同步翻多,短線多頭氣勢明顯。三大法人連三日買超,主力昨日大舉買超3346張,創下近60日新高,顯示資金進場動能強勁。成交量連日放大,短線量價齊揚,支撐多方續攻。操作上,建議留意漲停板鎖單與量能變化,若量縮不破漲停,短線仍有續強機會。
🔸公司業務聚焦化合物半導體,盤中分析總結
漢磊主力業務為功率半導體及類比IC晶圓代工,深耕SiC與GaN領域逾15年,具備全球首家雙代工能力。近期月營收穩健回升,反映產能利用率改善。綜合今日盤勢,SiC新技術平臺題材強勢發酵,主力與法人同步加碼,短線多頭格局明確,後續可持續關注量能與鎖單表現。
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