受惠於人工智慧(AI)需求爆發、記憶體晶片短缺以及美國的出口管制措施，中國半導體企業去年的營收創下歷史新高。這項限制反而促使北京當局積極扶植本土科技產業，分析師與企業紛紛預期今年營收將進一步飆升。這顯示出中國晶片業者正緊抓國內科技巨頭建置 AI 基礎設施的強勁需求，成功將危機化為轉機。

AI強勁拉動，美國禁令成晶片國產化催化劑

帶動這波銷售破紀錄的背後有多重因素發酵。電動車產業的蓬勃發展與相關基礎設施的建設，為成熟製程半導體提供了穩固的支撐；同時，AI 浪潮也讓先進晶片的需求直線飆升。美國過去幾年針對中國科技產業的出口管制，等於為晶片需求注入了強心針，不僅切斷了中國取得關鍵技術的管道，更加速了北京當局推動技術自主的決心，努力擺脫對美國科技的依賴。

輝達(NVDA)受限留市場空缺，本土晶片廠卡位搶市

隨著美國對輝達(NVDA)晶片的出口限制加劇，北京當局積極鼓勵當地企業採購國產替代品。華為等本土企業迅速卡位填補市場空缺，即便這些國產半導體的效能目前仍落後於美國產品。市場分析指出，雖然中國尚未在頂尖的圖形處理器（GPU）效能上取得領先，但這些本土解決方案正在填補國內的算力缺口，進而推動了營收創下歷史新高。

中芯與華虹財報亮眼，摩爾線程營收估翻倍增

攤開各大廠財報，中國最大晶片製造商中芯國際表示，2025年營收較前一年同期成長16%，達到創紀錄的93億美元；根據法人機構 LSEG 的預估，其2026年營收甚至有望突破110億美元。另一家晶片大廠華虹半導體的第四季營收也創下6.599億美元的歷史新高，並預測後續銷售額將落在6.5億至6.6億美元之間。此外，目標挑戰輝達(NVDA)的摩爾線程則預估，2025年營收將落在14.5億至15.2億人民幣（約2.098億美元）之間，較前一年同期出現高達231%至247%的爆發性成長。

美光(MU)受限帶動記憶體狂飆，長鑫存儲營收暴增

中國記憶體晶片業者同樣在這波浪潮中受惠。作為 AI 資料中心與消費性電子產品的關鍵零組件，記憶體在全球供應短缺且需求居高不下的情況下，價格出現了史無前例的飆漲。據報導，中國領先的記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）營收較前一年同期大幅躍升130%，突破550億人民幣（約80億美元）。

高頻寬記憶體(HBM)是 AI 發展不可或缺的高階記憶體，目前市場主要由三星、SK海力士與美光(MU)三大巨頭主導。然而，針對中國的 HBM 出口管制反而為長鑫存儲打開了機會之門。雖然其技術與國際領先大廠仍有落差，但在 HBM 受到限制後，長鑫存儲成為少數的國產替代方案，即使是技術較為早期的 HBM2 或 HBM2e 也受到市場的熱烈追捧。預計長鑫存儲將在今年投入 HBM3 的生產，這些製造記憶體晶片所累積的經驗，未來甚至可能帶動 GPU 等其他晶片領域的技術突破。

先進製程仍受制台積電(TSM)與艾司摩爾(ASML)

儘管中國半導體企業繳出了破紀錄的營收成績單，但在核心技術能力上，仍明顯落後於美國、韓國、歐洲及台灣的企業。以中芯國際和華虹為例，他們目前仍無法像市場龍頭台積電(TSM)那樣大規模製造全球最先進的晶片。主要原因在於受到出口管制限制，這些企業無法取得由荷蘭大廠艾司摩爾(ASML)所生產的最先進微影設備。雖然中國正積極研發國產替代方案，但半導體技術的極度複雜性讓這項任務充滿挑戰。

面臨成熟製程過剩風險，未來技術突破成關鍵

中國試圖重建涵蓋極廣的完整半導體供應鏈，這項獨特的策略自然面臨巨大的挑戰，需要更多時間來克服關鍵領域的限制。目前多數次產業已經越來越容易取得國產替代品，但尚未能全面覆蓋。市場警告，雖然目前的成長動能主要來自於「進口替代」效應，但市場仍存在成熟製程晶片產能過剩的隱憂。這波高速成長能否延續，關鍵在於中國半導體產業能否成功向高價值產業鏈移動，特別是在先進 HBM 與次世代邏輯製程上的實質突破。

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