據路透社與韓國媒體報導，三星電子正積極準備於下個月開始生產下一代高頻寬記憶體（HBM4）晶片，目標是供應給輝達(NVDA)並縮小與競爭對手SK海力士的差距。消息人士指出，三星最早將於下個月啟動HBM4的製造流程。這項舉措標誌著三星在經歷去年的生產延遲、影響獲利與股價表現後，試圖在高頻寬記憶體市場重拾動能的關鍵一步。韓國經濟日報更披露，三星已通過輝達(NVDA)與超微(AMD)的HBM4資格測試，準備開始出貨。

SK海力士擴大產能捍衛高頻寬記憶體市占

目前在HBM市場占據主導地位的SK海力士，長期以來一直是輝達(NVDA)人工智慧處理器先進記憶體晶片的主要供應商。該公司於去年10月表示，已完成明年主要客戶的供應談判，並正積極擴大產能。SK海力士高層透露，公司計畫於下個月開始將矽晶圓投入位於韓國清州的M15X新廠，以生產HBM晶片，藉此捍衛其市場領先地位，不過目前尚不清楚HBM4是否會包含在該廠的初期產量中。

黃仁勳證實Vera Rubin平台全面投產

隨著輝達(NVDA)準備推出下一代AI平台「Vera Rubin」，記憶體供應的時間點變得至關重要。輝達(NVDA)執行長黃仁勳本月稍早表示，該平台已進入全面投產階段，並將搭配HBM4記憶體使用。HBM晶片是先進AI加速器的關鍵組件，隨著生成式AI的快速擴張，市場對此類晶片的需求呈現爆發性成長，這也讓各大記憶體原廠間的技術競賽更加白熱化。

三星否認記憶體全面調漲八成的市場傳聞

市場目光同時聚焦於即將發布財報的三星與SK海力士。近期有傳言指稱三星將對其全線記憶體產品進行前所未有的80%價格調漲，對此三星迅速做出回應。據聯合報報導，三星及多家記憶體模組製造合作夥伴已明確表示，所謂漲價80%的說法完全不實。投資人將密切關注本週四兩家公司發布的第四季財報，以進一步了解記憶體市場的價格走勢及獲利展望。

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