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降目標價但維持買進，短期雜音壓抑評價
市場焦點落在美銀下修評等假設與訂單能見度轉弱，但長線需求與技術優勢仍獲背書。ASML Holding(艾司摩爾)(ASML)受宏觀與關稅不確定性影響，短期接單估值遭下調，股價收在742.62美元，日跌2.26%。美銀指出半導體關稅細節未明與中國晶圓廠資本支出走弱，正延後設備訂單決策，將第三季與第四季訂單金額由先前預期的46億與54億歐元，分別下修至35億與38億歐元。不過，美銀維持買進評等，主因評價具吸引力且光刻強度具韌性，並預期2027年在美國新廠開出後，成長動能回升。對投資人而言，短線波動與消息面主導股價，但長線結構性成長敘事未改。
光刻龍頭護城河穩固，EUV與高NA構築長線優勢
艾司摩爾為全球唯一能量產供應EUV極紫外光曝光設備的廠商，並在先進DUV領域維持領先，其產品組合涵蓋邏輯與記憶體製程節點，客戶涵蓋台積電、三星與英特爾等一線晶圓廠。公司營收主要來自設備銷售與後段服務維護，先進製程疊層數與良率要求提升，推升單位晶片所需的光刻步驟與機台價值量，形成具黏性的長期現金流。相較同業聚焦薄膜與蝕刻的應用材料、科林研發與量測檢測的KLA，艾司摩爾深耕光刻系統且具技術寡占地位，門檻高、替代性低，競爭優勢具可持續性。雖然公司營運受半導體資本支出循環影響，但先進製程世代推進與記憶體轉進EUV的結構變化，為其中長期成長提供能見度。
美銀下修目標價續喊買，短期承壓但非結構轉弱
最新券商動向顯示，宏觀與政策雜音延緩訂單，但對長期商機判斷未變。美銀將第三季與第四季訂單金額分別下修至35億與38億歐元，主因半導體關稅細節尚未落地與中國WFE支出轉弱，使客戶下單時點遞延。模型上，美銀將2026年營收略降，年減約0.6%，由低NA EUV交機量調降與中國貢獻偏軟所致，並預期2027年在美國新廠陸續開出後恢復增長。關鍵亮點在於光刻強度預計自2024年的25%提升至2025年的28%，顯示製程節點持續往更高的曝光步驟密度發展。美銀強調艾司摩爾產品藍圖可支援晶圓代工與DRAM客戶在2030年前維持高光刻強度同時降低電晶體成本，這意味著即使短期接單放緩，中長期EUV與高NA導入曲線仍具可見度。
AI擴產與政策不確定並行，資本支出時序成勝負手
產業面來看，AI伺服器推動的先進製程與HBM記憶體擴產是當前主旋律，先進邏輯在2奈米與GAA架構導入將增加EUV層數，DRAM在1β與1γ節點也擴大EUV使用，光刻強度中長期上行的結構不變。不過，關稅與出口管制政策可能影響中國成熟與先進製程資本支出節奏，造成非美地區訂單時點拉扯。相對地，受大而美法案等政策帶動的美國新廠建置，包括先進邏輯與先進封裝產能，預計在2026至2027年陸續轉入設備安裝期，對艾司摩爾的高階機台交付形成後段動能。總體經濟方面，利率路徑與企業資本成本變化也將左右晶圓廠擴產決策，景氣軟著陸情境下，資本支出回升的時間點是評價修復的關鍵。
光刻強度抬升延長成長曲線，高NA成為新一輪槓桿
在技術面，艾司摩爾的EUV與高NA Euv在降低線寬、提升圖形精準度上具決定性，讓客戶以更高光刻步驟數換取面積縮小與功耗改善，支撐每顆晶片的價值提升。高NA系統雖單機價格與導入複雜度更高，但可減少多重圖形化流程，整體擁有成本在先進節點具吸引力。隨著代工龍頭邁向2奈米以下與DRAM持續提升EUV層數，光刻強度向上提升的趨勢有助平滑設備循環波動，減輕單一年份接單起伏對中長期營收的影響。這也是美銀在短期下修訂單假設之際，仍維持買進評等與長線正面觀點的核心理由。
股價短線震盪加劇，關注財測與訂單指引落地
股價面，艾司摩爾周二收跌2.26%至742.62美元，反映券商調整與政策不確定性升溫。短期內，市場將以訂單與出貨的可見度為主要交易軸線，任何關於關稅細節、對中出貨限制與高NA交機節奏的明確訊息，皆可能成為波動催化。技術面而言，歷經一段時間的上漲後進入高檔震盪，心理關卡與前高區成為多空拉鋸位置，量能配合度將決定趨勢延續力道。相對同業，受益EUV獨占與AI製程擴產題材，長期相對強勢仍有基礎，但短線評價修正風險須留意。後續觀察重點包括第三季與第四季接單更新、2026至2027年產能擴張計畫的時程確認，以及主要客戶在先進節點的資本支出節奏是否如期推進。
整體而言，短期接單雜音與政策變數讓艾司摩爾評價承受壓力，但光刻強度上行、高NA導入與美國新廠開出為中長期成長提供支撐。在宏觀不確定與產業升級並存的環境下，投資人可將焦點放在訂單回補訊號與高NA量產里程碑，一旦政策與能見度改善，評價修復空間可期。
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