SK Hynix近日向主要客戶傳送新一代HBM4E記憶體晶片樣品，提升效能與能效，助力AI運算。

在全球記憶體市場競爭激烈的背景下，SK Hynix於本週四宣佈已向其主要客戶寄送了下一代動態隨機存取記憶體(DRAM)樣品——HBM4E。作為南韓最大的記憶體製造商之一，SK Hynix不僅在高帶寬記憶體(HBM)領域佔有重要地位，更是Nvidia等知名公司的供應夥伴。

據SK Hynix表示，這款12層的HBM4E記憶體晶片具備每針最高16 Gbps的資料處理速度，以及比前一代產品提高20%的能效，顯著增強了AI訓練和推論的資料處理能力。此外，相較於先前的HBM4型號，其耐熱性也改善了17%，確保在高效能計算環境中的穩定執行。

儘管SK Hynix面臨來自三星電子及美國美光科技的競爭，但公司對未來充滿信心，並承諾將加速進入量產階段，以配合市場需求的快速變化。隨著AI技術的不斷演進，業界普遍預期，像SK Hynix這樣的創新將成為推動整個行業前進的重要力量。

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