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摩根士丹利證券最新發布的大中華半導體產業報告指出，傳統NAND記憶體下半年供給缺口可能擴大至40%，旺宏(2337)被列為記憶體產業首選，因其最能受惠於此結構性短缺。報告預期MLC及成熟製程TLC NAND價格將從2026年第1季至第4季上漲超過200%。相較之下，DDR4漲勢空間有限，大摩已將華邦電(2344)及南亞科(2408)等評等降至中立。旺宏作為全球非揮發性記憶體領導廠，將在工業及企業應用需求支撐下，捕捉價格上漲機會。
傳統NAND供給短缺背景
報告分析師顏志天表示，傳統快閃記憶體正面臨結構性供給短缺，主要供應商持續縮減產能，與DDR4情況不同。MLC NAND需求具韌性，受惠於其耐用性優於TLC及QLC，尤其在價格敏感度低的工業與企業應用。預期下半年供不應求程度達40%，價格漲幅將超過200%。旺宏專注積體電路及半導體零組件設計製造，定位於此領域領導者，有望從短缺中獲益。
大摩對台廠評選調整
在大摩記憶體產業首選名單中，旺宏取代華邦電，成為舊世代NAND領域焦點。DRAM部分，看好愛普(6531)具新成長動能，力積電(6770)則在與美光合作後，預計2027年轉型供應DDR4 8Gb及16Gb。DDR4價格高漲已影響消費需求，如智慧型手機及PC，且缺乏AI直接應用。南亞科私募指向eSSD及交換器需求，投資情緒偏正面，華邦電未來也有私募可能。
市場反應與產業影響
報告發布後，記憶體股動態值得關注，旺宏股價近期呈現波動，法人機構觀點轉向舊世代NAND。供給短缺可能影響產業鏈，促使供應商調整策略，如擴充產能或延後退場。競爭對手如華邦電計劃DRAM位元出貨量翻倍，南亞科導入新產能，長鑫存儲提升DDR4產能逾倍。旺宏在非揮發性記憶體地位，將受價格上漲及需求復甦影響。
後續關鍵觀察點
投資人可追蹤2026年下半年NAND供給缺口實際發展，以及MLC及TLC價格走勢。旺宏需留意全球供應商產能變化及工業應用需求。DDR4漲勢延續至3月後，上行空間有限，可能影響整體記憶體市場。未來事件如南亞科私募進展及華邦電潛在動作，將提供更多產業線索。
旺宏(2337)：近期基本面、籌碼面與技術面表現
基本面亮點
旺宏為全球非揮發性記憶體領導廠之一，總市值2534億元，產業分類電子–半導體，營業焦點包括積體電路、各種半導體零組件及其系統應用產品之研究發展、設計、製造、測試、銷售及顧問諮詢，本益比14.6，稅後權益報酬率0.0。近期月營收表現強勁，202602單月合併營收3029.95百萬元，年成長59.98%，創40個月新高；202601為3017.01百萬元，年成長51.41%；202512為2632.34百萬元，年成長44.94%。營收連續爆發，受市場需求復甦影響，顯示業務發展穩健。
籌碼與法人觀察
近期三大法人買賣超動盪，20260326外資買超5393張，投信賣超1471張，自營商買超1718張，合計5641張；20260325外資買超2226張，合計1920張；20260324外資買超10214張，合計9916張。主力買賣超方面，20260326為-7469張，買賣家數差68，近5日主力買賣超-7.7%，近20日1.3%；20260325為-111張，近5日-9.4%。外資近期累積買超，顯示法人趨勢轉正，散戶動向分歧，集中度變化需持續監測。
技術面重點
截至20260226，旺宏收盤價110元，漲幅1.85%，成交量144244張。短中期趨勢顯示，股價位於MA5之上，但低於MA20及MA60，呈現整理格局。近20日均量約200000張，當日量能略低，近5日均量相對20日均量持平。關鍵價位方面，近60日區間高點160元為壓力，低點31.20元為支撐；近20日高點148.50元、低點99元作近期參考。量價配合尚可，但短線風險包括量能續航不足，可能加劇波動。
總結
旺宏受益傳統NAND供給短缺預期，價格上漲潛力達200%，但DDR4漲勢有限。近期營收年成長逾50%，法人買超積極，技術面整理中。投資人可留意下半年供給缺口及月營收變化，潛在風險包括需求破壞及產能調整影響。
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