Cohu(COHU)與BE Semiconductor(BESI)獲得投資公司Needham的評級調升，因為該公司認為這兩家公司將持續受益於高頻寬記憶體(HBM)的增長動能。Needham分析師在給客戶的報告中指出：「我們觀察到高頻寬記憶體正從單純的堆疊技術轉向多樣化的創新型擴展，確保HBM在未來5到10年內仍是人工智慧記憶體的領導者。」

技術革新推動HBM持續領先

分析師預測，未來幾年將出現一系列技術革新，包括混合鍵合、數據序列化、多層塔結構，最終發展到3D DRAM。他們認為高頻寬閃存（HBF）不會對HBM構成實質威脅。特別是在2026年，混合鍵合技術的採用被認為迫在眉睫，因為現有HBM方案在16層高時似乎達到了熱限制。

半導體後段製程公司將成為受益者

Needham指出，HBM的受益範圍正在擴大，涵蓋更多半導體後段製程公司。該公司將BE Semiconductor(BESI)的評級從持有調升至買進，並設定190歐元的目標價，並將其列為2026年的首選，同時加入Needham的信心名單。此外，Cohu(COHU)也被調升至買進，目標價設定為30美元。

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