6127 九豪 - 九豪在氮化鋁基板在 AI 相關應用中不可或缺的領域氮化鋁...

黃牛畜牧養殖場 · 2025-10-22T13:17:26Z

九豪在氮化鋁基板在 AI 相關應用中不可或缺的領域氮化鋁基板 (AlN) 的高導熱性、高電絕緣性和與矽接近的熱膨脹係數，使其成為處理巨量資料、高頻運算的 AI 伺服器和 5G/通訊設備中功率模組的關鍵。 1. AI 伺服器的核心電源與散熱 AI 伺服器，尤其是搭載高階 GPU 和 NPU 的系統，其電源供應器 (PSU) 和 VRM (電壓調節模組) 必須處理極高的功率密度。關鍵角色：高階厚銅金屬化載板氮化鋁基板被用於製作高階厚銅金屬化載板（如 DBC 或 AMB），用來承載和封裝 SiC/GaN 功率晶片或 IGBT 模組。這些功率晶片負責將輸入電源轉換成 AI 晶片所需的大電流低電壓。由於功率極高，產生的熱量巨大。不可或缺性：只有氮化鋁這種高導熱基板才能在維持高電壓絕緣的同時，將功率晶片的熱量快速導出，確保電源模組在高負載下穩定運作。 2. 高頻通訊和資料中心 (5G/光通訊) AI 運算依賴高速、低延遲的資料傳輸，這對 5G 基地台和光通訊模組提出了極高的功率和散熱要求。關鍵角色：射頻 (RF) 功率放大器氮化鋁基板常作為氮化鎵 (GaN) 高功率射頻元件的載體。GaN 元件是 5G 基地台功率放大器（PA）的主流技術。不可或缺性： GaN 射頻元件在高頻工作時發熱量極大，若無 AlN 的高導熱特性，元件會因過熱而失效。氮化鋁基板因此是高功率 TR 模組（收發器模塊）、微波設備封裝的必要材料。 3. 被動元件的間接應用：功率電阻基板雖然氮化鋁直接服務於功率半導體，但它也與部分被動元件相關聯：功率電阻 (Power Resistor)：在高功率電路中，需要使用大功率電阻來消耗或控制電流。九豪等陶瓷基板製造商將氮化鋁基板應用於功率電阻用基板，以提升這些被動元件的散熱能力，使其能承受更高的功率負載。總結：為何它不可或缺？在 AI 驅動的世代，電子元件的趨勢是高頻率、高功率密度和微型化。這三點都造成了嚴峻的熱挑戰。氮化鋁基板提供了一個關鍵的物理特性組合：高導熱性（散熱）與高電絕緣性（安全），使其成為任何需要高效率電源轉換和可靠高頻訊號傳輸的 AI 基礎設施中的核心散熱解決方案。九豪精密陶瓷，其產品線中就包含氮化鋁基板，應用在功率模塊、LED 晶片基板及汽車電子等領域，正是看準了這些高階應用市場的散熱需求。看看九豪從電阻陶瓷基板轉做高毛率的氮化鋁基板，國巨肯定看到在布局，氮化鋁基板在光通訊中的關鍵作用光通訊模組，特別是如 400G/800G 等高速率的光學收發器，其內部集成的雷射器（Laser Diode）、**驅動晶片（Driver IC）和放大器（TIA/PA）**在高速工作時會產生大量的熱能。氮化鋁基板因其優異的特性組合，成為解決這些熱問題的理想選擇。 1. 卓越的散熱平台高導熱係數：氮化鋁（AlN）的導熱係數遠高於常用的氧化鋁（Al₂O₃），能夠將熱源（特別是雷射晶片）產生的熱能快速傳導出去。作用：保持雷射器和光電探測器的工作溫度穩定，這是確保光訊號波長穩定和提高元件壽命的關鍵。溫度波動會導致雷射波長飄移，影響通訊品質。 2. 優異的高頻電氣性能低介電常數和低介電損耗：氮化鋁在高頻電磁環境中表現穩定，能有效減少訊號傳輸時的損失。作用：在高速光通訊模組（例如 5G 基地台的射頻前端或資料中心的光收發器）中，電訊號的傳輸速度極高，氮化鋁基板能確保訊號的完整性和低雜訊。 3. 熱膨脹係數匹配與半導體材料匹配：氮化鋁的熱膨脹係數（CTE）與矽（Si）晶圓非常接近。作用：這使得將雷射晶片或驅動 IC 等半導體晶片直接貼裝到氮化鋁基板上時，在經歷溫度變化時，產生的熱應力極小，從而大大提高封裝的可靠性，減少虛焊或晶片損壞的風險。